Carolin Horn
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Conception plus compacte
– Les chargeurs GaN sont souvent beaucoup plus petits et plus légers que les chargeurs en silicium conventionnels.
Une efficacité accrue
– Ils convertissent l’électricité plus efficacement, génèrent moins de chaleur et perdent moins d’énergie.
Chargement plus rapide
– Grâce à une densité de puissance plus élevée, ils peuvent fournir plus de watts et charger les appareils plus rapidement (par exemple, les smartphones, les ordinateurs portables, les tablettes).
Moins de production de chaleur
– Le GaN génère moins de chaleur pour la même puissance, ce qui prolonge la durée de vie de l’électronique.
Exemple de produit avec technologie GaN Sharge Roll-in Charger
Pour les experts :
Les semi-conducteurs GaN sont des semi-conducteurs à large bande interdite, des semi-conducteurs composites à large bande interdite, fonctionnant à des fréquences nettement plus élevées que le silicium (MOSFET et IGBT). Cela permet d'obtenir des composants passifs plus petits et d'améliorer le rendement. Contrairement au SiC (carbure de silicium), le GaN commute plus rapidement. Il fonctionne à des tensions plus élevées que le GaN et nécessite une tension de commande de grille élevée. Cependant, les composants SiC sont très demandés dans l'électronique de puissance haute tension en raison de leur excellente capacité de transport de courant.
